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2N4362

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N4362
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室
資質：營業執照
6000
MICROSEMI
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

2N4362
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
TO-94,Stud SCR
25+
-
國產品牌，替代進口

2N4362
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
86530
MICROSEMI
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

2N4362
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：高先生/周小姐/曹先生
電話：185208051481376027201713487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
26792
Powerex Inc.
TO-209AC, TO-94-4, S
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

1/1頁 40條/頁共8條
1

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2N4362 PDF下載

功能描述
THYRISTOR STUD 200V 70A TO-94
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> SCR - 單個
系列
-
其它有關文件
X00619 View All Specifications
產品目錄繪圖
SCR TO-92 Package
標準包裝
1
系列
-
SCR 型
靈敏柵極
電壓 - 斷路
600V
電壓 - 柵極觸發器 (Vgt)（最大）
800mV
電壓 - 導通狀態 (Vtm)（最大）
1.35V
電流 - 導通狀態 (It (AV))（最大）
500mA
電流 - 導通狀態 (It (RMS))（最大）
800mA
電流 - 柵極觸發電流 (Igt)（最大）
200µA
電流 - 維持(Ih)
5mA
電流 - 斷開狀態（最大）
1µA
電流 - 非重復電涌，50、60Hz (Itsm)
9A，10A
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
供應商設備封裝
TO-92-3
包裝
剪切帶 (CT)
產品目錄頁面
1554 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱
497-9067-1

2N4362 技術參數

2N4361 功能描述:THYRISTOR STUD 100V 70A TO-94 制造商:powerex inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 斷態:100V 電壓 - 柵極觸發（Vgt）（最大值）:3V 電流 - 柵極觸發（Igt）（最大值）:250mA 電壓 - 通態（Vtm）（最大值）:2.5V 電流 - 通態（It（AV））（最大值）:70A 電流 - 通態（It（RMS））（最大值）:110A 電流 - 保持（Ih）（最大值）:- 電流 - 斷態（最大值）:10mA 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:1600A @ 60Hz SCR 類型:標準恢復型工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:TO-209AC，TO-94-4，接線柱供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2N4340 功能描述:TRANS JFET N-CH 50V 50MA TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:15V 額定電流:- 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:50V 封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N4339-E3 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:500μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4339-2 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:500μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:20 2N4339 功能描述:MOSFET N-CH 50V 1.5MA TO-206AA 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:50V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:500μA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:600mV @ 100nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7pF @ 15V 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:300mW 標準包裝:200 2N4374 2N4375 2N4376 2N4377 2N4378 2N4391 2N4391-2 2N4391-E3 2N4391UB 2N4392 2N4392-2 2N4392-E3 2N4392UB 2N4393 2N4393-2 2N4393-E3 2N4393UB 2N4398