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2N4391S

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2N4391S 技術參數

2N4391-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:50mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:4V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:30 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:1.8W 標準包裝:200 2N4391-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:50mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:4V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:30 歐姆安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:1.8W 標準包裝:50 2N4391 功能描述:JFET N-CH 40V 150MA 1.8W TO18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:150mA @ 20V 漏極電流（Id） - 最大值:100pA 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:10V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:14pF @ 20V 電阻 - RDS（開）:30 Ohms 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 2N4378 功能描述:THYRISTOR STUD 1400V 70A TO-94 制造商:powerex inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 斷態:1400V 電壓 - 柵極觸發（Vgt）（最大值）:3V 電流 - 柵極觸發（Igt）（最大值）:250mA 電壓 - 通態（Vtm）（最大值）:2.5V 電流 - 通態（It（AV））（最大值）:70A 電流 - 通態（It（RMS））（最大值）:110A 電流 - 保持（Ih）（最大值）:- 電流 - 斷態（最大值）:10mA 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:1600A @ 60Hz SCR 類型:標準恢復型工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:TO-209AC，TO-94-4，接線柱供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2N4377 功能描述:THYRISTOR STUD 1200V 70A TO-94 制造商:powerex inc. 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 斷態:1200V 電壓 - 柵極觸發（Vgt）（最大值）:3V 電流 - 柵極觸發（Igt）（最大值）:250mA 電壓 - 通態（Vtm）（最大值）:2.5V 電流 - 通態（It（AV））（最大值）:70A 電流 - 通態（It（RMS））（最大值）:110A 電流 - 保持（Ih）（最大值）:- 電流 - 斷態（最大值）:10mA 電流 - 不重復浪涌 50，60Hz（Itsm）:1600A @ 60Hz SCR 類型:標準恢復型工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:底座，接線柱安裝封裝/外殼:TO-209AC，TO-94-4，接線柱供應商器件封裝:- 標準包裝:1 2N4398 2N4399 2N4400_D81Z 2N4400_S00Z 2N4400BU 2N4400TA 2N4400TAR 2N4400TF 2N4400TFR 2N4401 2N4401,116 2N4401_D11Z 2N4401_D81Z 2N4401_J05Z 2N4401_J18Z 2N4401_J25Z 2N4401_J60Z 2N4401_J61Z