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2N4392JANTX

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2N4392JANTX 技術(shù)參數(shù)
  • 2N4392-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):25mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開):60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4392-2 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):25mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開):60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:20 2N4392 功能描述:JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):25mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):2V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開):60 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 2N4391UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態(tài):在售 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4391-E3 功能描述:MOSFET N-CH 40V .1NA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):50mA @ 20V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):4V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14pF @ 20V 電阻 - RDS(開):30 歐姆 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA(TO-18) 功率 - 最大值:1.8W 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4400BU 2N4400TA 2N4400TAR 2N4400TF 2N4400TFR 2N4401 2N4401,116 2N4401_D11Z 2N4401_D81Z 2N4401_J05Z 2N4401_J18Z 2N4401_J25Z 2N4401_J60Z 2N4401_J61Z 2N4401_S00Z 2N4401-AP 2N4401BU 2N4401G
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