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2N4856JAN

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  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2N4856JANTX
    2N4856JANTX

    2N4856JANTX

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 164

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司現貨,只做原裝!

  • 2N4856JAN
    2N4856JAN

    2N4856JAN

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • HAR

  • 原廠封裝

  • 07+

  • -
  • 2N4856JAN
    2N4856JAN

    2N4856JAN

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 36200

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -
  • 原裝現貨,優勢供應

  • 2N4856JANTX
    2N4856JANTX

    2N4856JANTX

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 164

  • MSC

  • 2007/2008

  • -
  • 公司現貨,只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
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  • 制造商
  • Harris Corporation
  • 功能描述
2N4856JAN 技術參數
  • 2N4856 功能描述:JFET N-Channel 40V 175mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:軍用, MIL-PRF-19500/385 包裝:散裝 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):175mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):10V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18pF @ 10V 電阻 - RDS(開):25 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:1 2N4854UTX 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6CLCC 制造商:tt electronics/optek technology 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN,PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):10nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-CLCC 供應商器件封裝:6-CLCC 標準包裝:1 2N4854U 功能描述:NPN/PNP TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N4854 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:- 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):- 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 2N4449UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/317 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:- 供應商器件封裝:UB 標準包裝:1 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02 2N4859JTXV02 2N4859UB 2N4860 2N4860JAN02
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