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2N5566-E3

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功能描述
JFET 40V 5mA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶體管極性
N-Channel
漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
50 mA
漏源電壓 VDS
15 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續電流
50 mA
配置
安裝風格
封裝 / 箱體
SC-59
封裝
Reel

2N5566-E3 技術參數

2N5555_D74Z 功能描述:FET RF 25V TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:15mA 噪聲系數:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5555 功能描述:FET RF 25V TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:15mA 噪聲系數:- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5551ZL1G 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5551ZL1 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5551TFR 功能描述:TRANS NPN 160V 0.6A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 2N5639_D75Z 2N5639G 2N5639RLRAG 2N5655 2N5655G 2N5657 2N5657G 2N5660 2N5661 2N5661U3 2N5662 2N5664 2N5665 2N5666 2N5671 2N5679 2N5680 2N5681