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2N6788

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

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  • 2N6788
    2N6788

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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  • 2N6788JANTX
    2N6788JANTX

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

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  • 2N6788
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    2N6788

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

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    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

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  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 36200

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  • 2N6788
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    2N6788

  • 深圳市一線半導體有限公司
    深圳市一線半導體有限公司

    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 9800

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  • 2N6788
    2N6788

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

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    2N6788JANTXV

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:何芝

    電話:19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

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  • 2N6788
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  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯系人:韓小姐

    電話:13661385246

    地址:北京市海淀區知春路118號知春大廈B座1504室,新中發電子市場B1303-b1305柜臺

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  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • TRANS MOSFET N-CH 100V 6A 3PIN TO-39 - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • 2N6788 - Bulk
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • MOSFET N TO-39
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • MOSFET, N, TO-39
  • 制造商
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • N CHANNEL MOSFET, 100V, 6A TO-205AF; Transistor Polarity
2N6788 技術參數
  • 2N6784U 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 1.5A,0V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:18-ULCC(9.14x7.49) 標準包裝:1 2N6784 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.25A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 歐姆 @ 1.5A,0V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6782U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 2.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:18-ULCC(9.14x7.49) 標準包裝:1 2N6782 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 2.25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):8.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:800W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6770T1 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3,TO-254AA(直引線) 供應商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 2N6802 2N6802U 2N6804 2N6849 2N6849U 2N6901 2N696 2N696S 2N697 2N697A 2N697S 2N6987 2N6987U 2N6988 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699
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