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2N6782U

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    2N6782U

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：高先生/周小姐/曹先生

    電話：185208051481376027201713487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 45539

  • Microsemi Corporation

  • 18-CLCC

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共6條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • N CHANNEL MOSFET - Bulk
2N6782U 技術(shù)參數(shù)
  • 2N6782 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:3.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:600 毫歐 @ 2.25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:8.1nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6770T1 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6770 功能描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO-204AE 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:500 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AE 供應(yīng)商器件封裝:TO-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6768T1 功能描述:MOSFET N-CH 400V 14A TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3，TO-254AA（直引線） 供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6768 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:14A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AE 供應(yīng)商器件封裝:TO-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N6798U 2N6800 2N6800U 2N6802 2N6802U 2N6804 2N6849 2N6849U 2N6901 2N696 2N696S 2N697 2N697A 2N697S 2N6987 2N6987U 2N6988 2N6989
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