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2N6768T1

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  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:高先生/周小姐/曹先生

    電話:185208051481376027201713487865852

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 46038

  • Microsemi Corporation

  • TO-254-3, TO-254AA (

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • 2N6768T1
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    2N6768T1

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:高先生/曹先生/周小姐

    電話:185208051481348786585213760272017

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 98810

  • Microchip / Microsemi

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 400V 14A TO-254AA
2N6768T1 技術(shù)參數(shù)
  • 2N6768 功能描述:MOSFET N-CH 400V TO-204AE TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):400V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):400 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AE 供應(yīng)商器件封裝:TO-3 標準包裝:1 2N6766T1 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-254AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-254-3,TO-254AA(直引線) 供應(yīng)商器件封裝:TO-254AA 標準包裝:1 2N6766 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-204AE TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):90 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):115nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AE 供應(yīng)商器件封裝:TO-3 標準包裝:1 2N6764T1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 38A TO-204AE 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 38A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AE 供應(yīng)商器件封裝:TO-3 標準包裝:1 2N6764 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-204AE TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):38A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 38A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):125nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-204AE 供應(yīng)商器件封裝:TO-3 標準包裝:1 2N6790U 2N6796 2N6796U 2N6798 2N6798U 2N6800 2N6800U 2N6802 2N6802U 2N6804 2N6849 2N6849U 2N6901 2N696 2N696S 2N697 2N697A 2N697S
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