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2N6796TX-TSTDTS

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2N6796TX-TSTDTS
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯(lián)系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業(yè)執(zhí)照
136
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-
公司現(xiàn)貨!只做原裝!

2N6796TX-TSTDTS
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
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2N6796TX-TSTDTS PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N6796TX-TSTDTS 技術參數(shù)

2N6796 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6790U 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 2.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49）標準包裝:1 2N6790 功能描述:MOSFET N-CH 200V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:800 毫歐 @ 2.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6788U 功能描述:MOSFET N-CH 100V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:18-BQFN 裸露焊盤供應商器件封裝:18-ULCC（9.14x7.49）標準包裝:1 2N6788 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO-205AF 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:300 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AF 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:1 2N6849U 2N6901 2N696 2N696S 2N697 2N697A 2N697S 2N6987 2N6987U 2N6988 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z