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2N7002-T1-E3

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  • 深圳市硅宇電子有限公司
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    資質:營業執照

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  • 甄芯網
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  • SOT-23

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  • 2N7002-T1-E3
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  • 深圳市銘昌源科技有限公司
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    資質:營業執照

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  • 2N7002-T1-E3
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯系人:唐先生

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  • 865000

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  • 2N7002-T1-E3
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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

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    資質:營業執照

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  • con

  • 24+

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  • 場效應管

  • 2N7002-T1-E3
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  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

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    地址:沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 150

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  • SOT-23

  • 15+

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  • 2N7002-T1-E3
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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • VISHAY

  • SOT-23

  • 05+

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2N7002-T1-E3
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  • 深圳市一線半導體有限公司
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    聯系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

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    地址:深圳市福田區華強北華強花園B9F

  • 11630

  • SILICONIX

  • 2013

  • 18+

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  • 原裝正品,優勢供應

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  • 深圳市一線半導體有限公司
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  • SOT23

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  • 原裝正品,歡迎訂購

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  • 深圳市一線半導體有限公司
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  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
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    聯系人:胡慶偉

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    地址:深圳市寶安區新安街道翻身路117號 富源商貿中心D棟601

  • 39000

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  • 功能描述
  • MOSFET 60V 0.115A 0.2W
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
2N7002-T1-E3 技術參數
  • 2N7002T,215 功能描述:MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):300mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:3,000 2N7002T 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):115mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 歐姆 @ 50mA,5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應商器件封裝:SOT-523F 標準包裝:1 2N7002PW,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):310mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):260mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-323-3 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 標準包裝:1 2N7002PV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT-666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):350mA 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):50pF @ 10V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應商器件封裝:SOT-666 標準包裝:1 2N7002PT,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.31A SOT-416 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):310mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):0.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):50pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 2N7002V-7 2N7002VA 2N7002VA-7 2N7002VA-7-F 2N7002VAC-7 2N7002VC-7 2N7002V-TP 2N7002W 2N7002W-7 2N7002W-7-F 2N7002WST1G 2N7002WT1G 2N7002WT3G 2N7002W-TP 2N7008 2N7008-G 2N7051 2N7051_D10Z
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