欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > 2字母型號搜索 > 2字母第2121頁 >

2N7002T-TP

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2N7002T-TP
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
12000
MICRO COMMERCIAL COMPONEN
價格優(yōu)勢
2343
-
全新原裝渠道現貨

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： 2N7002V 2N7002V-7 2N7002VA 2N7002VA-7 2N7002VA-7-F 2N7002VAC-7 2N7002VC-7 2N7002V-TP 2N7002W

2N7002T-TP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2N7002T-TP PDF下載

制造商
Micro Commercial Components (MCC)
功能描述
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R

2N7002T-TP 技術參數

2N7002TQ-7-F 功能描述:MOSFET NCH 60V 115MA SOT523 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13.5 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-523 封裝/外殼:SOT-523 標準包裝:1 2N7002-TP 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 2N7002TC 功能描述:MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 2N7002TA 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:330mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 2N7002T-7-F 功能描述:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:115mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 2N7002W-7 2N7002W-7-F 2N7002WST1G 2N7002WT1G 2N7002WT3G 2N7002W-TP 2N7008 2N7008-G 2N7051 2N7051_D10Z 2N7052 2N7052_D74Z 2N7053 2N7053_D26Z 2N7053_D74Z 2N7053_D75Z 2N706 2N708