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2N917

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  • 2N917
    2N917

    2N917

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 853240

  • N/A

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝正品現貨!!

  • 2N917
    2N917

    2N917

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • MOT

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2N917A
    2N917A

    2N917A

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 8566

  • MOT

  • CAN

  • 15+

  • -
  • 絕對公司原裝現貨

  • 2N917
    2N917

    2N917

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:高先生/曹先生/周小姐

    電話:185208051481348786585213760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 20497

  • Central Semiconductor

  • TO-72-3

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
2N917 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 兩極晶體管 - BJT NPN Low Noise
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶體管極性
  • PNP
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • - 40 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • - 6 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 最大直流電集電極電流
  • 增益帶寬產品fT
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PowerFLAT 2 x 2
2N917 技術參數
  • 2N915 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 2N7640-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 16A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc)(155°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 16A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1534pF @ 35V 功率 - 最大值:330W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 標準包裝:10 2N7639-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 15A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc)(155°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 15A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1534pF @ 35V 功率 - 最大值:172W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 標準包裝:10 2N7638-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 8A TO276 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc)(158°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 8A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):720pF @ 35V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-276AA 供應商器件封裝:TO-276 標準包裝:10 2N7637-GA 功能描述:TRANS SJT 650V 7A TO-257 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:結式晶體管,常閉 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc)(165°C) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):170 毫歐 @ 7A 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):720pF @ 35V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 225°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-257-3 供應商器件封裝:TO-257 標準包裝:10 2NCLPT-1E 2NCLPT-2E 2NCLPT-5E 2NFP0C 2NFP9C 2NT1-70 2NT1-8 2OT0.6-83-F9 2OT1.4-10-F9 2OT1.4-24-F9 2P01-0100-DA 2P01-0100-ES 2P01-0200-DA 2P01-0200-ES 2P01-0300-DA 2P02-0100-DA 2P02-0100-ES 2P02-0200-DA
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