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2SA2039LE

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2SA2039LE 技術(shù)參數(shù)

2SA2039-H 功能描述:TRANS PNP 50V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:430mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SA2039-E 功能描述:TRANS PNP 50V 5A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:430mV @ 100mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:360MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SA2030T2L 功能描述:TRANS PNP 12V 0.5A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:260MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SA2029T2LR 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SA2029T2LQ 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A VMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VMT3 標準包裝:1 2SA2071T100Q 2SA2072TLQ 2SA207700L 2SA207800L 2SA2078G0L 2SA207900A 2SA2088T106Q 2SA2090TLQ 2SA2090TLR 2SA2092TLQ 2SA2092TLR 2SA2093TV2Q 2SA2094TLQ 2SA2099 2SA2112-AN 2SA2119KT146 2SA2124-S-TD-E 2SA2124-TD-E