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2SA2161J0L

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SA2161J0L
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百正品現貨電話010-621049...

2SA2161J0L
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
16720
PANASONIC
1521+
-
全新原裝現貨

2SA2161J0L
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：史仙雁
電話：19129911934（手機優先微信同號）0755-82813018
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
2900
PANASONIC
ROHS
1315+
-
全新原裝正品歡迎來電0755-8286...

2SA2161J0L
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
2850
PANASONIC
SROHS
201333
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

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1

您是不是要找： 2SA216200L 2SA2162G0L 2SA216300A 2SA216400L 2SA2169-E 2SA2169-TL-E 2SA2174G0L 2SA2174J0L 2SA2180

2SA2161J0L PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SA2161J0L PDF下載

功能描述
TRANS PNP 12VCEO 500MA SSMINI3P
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> 晶體管(BJT) - 單路
系列
-
標準包裝
1
系列
-
晶體管類型
NPN
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
1A
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
30V
Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）
200mV @ 100mA，1A
電流 - 集電極截止（最大）
100nA
在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)
300 @ 500mA，5V
功率 - 最大
710mW
頻率 - 轉換
100MHz
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝
SOT-23-3（TO-236）
包裝
Digi-Reel®
其它名稱
MMBT489LT1GOSDKR

2SA2161J0L 技術參數

2SA2161G0L 功能描述:TRANS PNP 12V 0.5A SSMINI3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 10mA，2V 功率 - 最大值:125mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-89，SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F3 標準包裝:1 2SA2154MFV-GR(TPL3 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VESM 標準包裝:1 2SA2154CT-Y(TPL3) 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SA2154CT-GR,L3F 功能描述:TRANS PNP 50V 0.1A 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:80MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SA2153-TD-E 功能描述:TRANS PNP 50V 2A SOT89-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 50mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1.3W 頻率 - 躍遷:420MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PCP 標準包裝:1 2SA2186-AN 2SA2199T2LR 2SA2202-TD-E 2SA2205-E 2SA2205-TL-E 2SA2210 2SA2210-1E 2SA2210-EPN-1E 2SA2210-EPN-1EX 2SA2222 2SA2222SG 2SA2223 2SA2223A 2SA608NF-NPA-AT 2SA608NG-NPA-AT 2SA733P 2SA733P_D26Z 2SA854STPQ