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2SA949-Y(JVC1,F,M)

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  • 2SA949-Y(JVC1,F,M)
    2SA949-Y(JVC1,F,M)

    2SA949-Y(JVC1,F,M)

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/曹先生/高先生

    電話:137602720171348786585218520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 11510

  • Toshiba Semiconductor and

  • TO-226-3, TO-92-3 Lo

  • 25+

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2SA949-Y(JVC1,F,M) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TRANS PNP 50MA 150V TO226-3
  • 制造商
  • toshiba semiconductor and storage
  • 系列
  • -
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態
  • 停產
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 50mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 150V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 800mV @ 1mA,10A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 100nA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 70 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大值
  • 800mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 120MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-226-3,TO-92-3 長體
  • 供應商器件封裝
  • TO-92MOD
  • 標準包裝
  • 1
2SA949-Y(JVC1,F,M) 技術參數
  • 2SA949-O(TE6,F,M) 功能描述:TRANS PNP 50MA 150V TO226-3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):50mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):150V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):800mV @ 1mA,10A 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:120MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 供應商器件封裝:TO-92MOD 標準包裝:1 2SA933ASTPS 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:1 2SA933ASTPR 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:1 2SA933ASTPQ 功能描述:TRANS PNP 50V 0.15A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,6V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:140MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:1 2SA854STPR 功能描述:TRANS PNP 32V 0.5A SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SA965-Y(F,M) 2SA965-Y(T6CANO,FM 2SA965-Y,F(J 2SA965-Y,SWFF(M 2SA965-Y,T6F(J 2SA965-Y,T6KOJPF(J 2SAR293P5T100 2SAR293PFRAT100 2SAR293PT100 2SAR340PT100P 2SAR340PT100Q 2SAR502EBTL 2SAR502UBTL 2SAR512P5T100 2SAR512PFRAT100 2SAR512PT100 2SAR512RTL 2SAR513P5T100
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