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2SAR512PFRAT100

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  • 封裝
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  • 2SAR512PFRAT100
    2SAR512PFRAT100

    2SAR512PFRAT100

    現貨
  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業執照

  • 1000

  • Rohm

  • SOT89

  • 1824+

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  • 1
2SAR512PFRAT100 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • PNP DRIVER TRANSISTOR (CORRESPON
  • 制造商
  • rohm semiconductor
  • 系列
  • 汽車級,AEC-Q101
  • 零件狀態
  • 在售
  • 晶體管類型
  • PNP
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 2A
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 30V
  • 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值)
  • 400mV @ 35mA,700mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 1μA(ICBO)
  • 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值)
  • 200 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 頻率 - 躍遷
  • 430MHz
  • 工作溫度
  • 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-243AA
  • 供應商器件封裝
  • MPT3
  • 標準包裝
  • 1
2SAR512PFRAT100 技術參數
  • 2SAR512P5T100 功能描述:PNP -30V -2A MEDIUM POWER TRANSI 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 35mA,700mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:430MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR502UBTL 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A UMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):200nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:520MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:UMT3F 標準包裝:1 2SAR502EBTL 功能描述:TRANS PNP 30V 0.5A EMT3F 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):200nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:520MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應商器件封裝:EMT3F 標準包裝:1 2SAR340PT100Q 功能描述:PNP -100MA -400V MIDDLE POWER TR 制造商:rohm semiconductor 系列:* 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR340PT100P 功能描述:PNP -100MA -400V MIDDLE POWER TR 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):82 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:MPT3 標準包裝:1 2SAR514RTL 2SAR522EBTL 2SAR522MT2L 2SAR522UBTL 2SAR523EBTL 2SAR523MT2L 2SAR523UBTL 2SAR533P5T100 2SAR533PFRAT100 2SAR533PT100 2SAR542F3TR 2SAR542PFRAT100 2SAR542PT100 2SAR543DTL 2SAR543RTL 2SAR544P5T100 2SAR544PFRAT100 2SAR544PT100
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