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2SC6026MFV-GR

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價格
說明
操作

2SC6026MFV-GR
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
11631
TOSHIBA/東芝
SOT723
23+
-
全新原裝正品現貨熱賣

2SC6026MFV-GR
深圳市深美諾電子科技有限公司
深圳市深美諾電子科技有限公司
聯系人：李燕兵
電話：82525918
地址：深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室
資質：營業執照
6000
TOS
SOT
22+
-
全新原裝現貨供應

2SC6026MFV-GR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
TOSHIBA
SOT-523
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

2SC6026MFV-GR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
TOS
市場最低價
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

2SC6026MFV-GR
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
8000
TOSHIBA
SOT723
12+
-
原裝現貨/特價

2SC6026MFV-GR
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區華強北華強花園B9F
11630
TOSHIBA
原廠原裝
18+
-
原裝正品，優勢供應

2SC6026MFV-GR
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
6358
TOSHIBA
SOT523
2205+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

2SC6026MFV-GR
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3499
TOSHIBA
SOT523
2215+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

2SC6026MFV-GR/Y
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現貨，代找緊缺料

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功能描述
兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2SC6026MFV-GR 技術參數

2SC6026CT-Y(TPL3) 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A CST3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SC6026CTGRTPL3 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A CST3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:250mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA，6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SC6024-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 35MA 3SSFP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.5V 頻率 - 躍遷:14GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 10.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 15mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-SMD，扁平引線供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:1 2SC6023-TR-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 35MA MCP4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.5V 頻率 - 躍遷:14.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.2dB @ 2GHz 增益:9.5dB ~ 11dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 15mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:4-MCP 標準包裝:1 2SC6017-TL-EX 功能描述:TRANS NPN 50V 10A 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:360mV @ 250mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:10μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1A，2V 功率 - 最大值:950mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:700 2SC6043-AE 2SC6054G0L 2SC6054J0L 2SC6076(TE16L1,NV) 2SC6081 2SC6082 2SC6082-1E 2SC6082-EPN-1E 2SC6094-TD-E 2SC6095-TD-E 2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-H 2SC6097-E 2SC6097-TL-E 2SC6098-E 2SC6098-TL-E 2SC6099-E 2SC6099-TL-E

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