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2SC603600LCT

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2SC603600LCT 技術參數
  • 2SC603600L 功能描述:TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,200mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):270 @ 10mA,2V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F1 標準包裝:1 2SC6026MFVGR,L3F 功能描述:TRANS NPN 50V 0.15A VESM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):150mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:VESM 標準包裝:1 2SC6026CT-Y(TPL3) 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A CST3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SC6026CTGRTPL3 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A CST3 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:100mW 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:CST3 標準包裝:1 2SC6024-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 35MA 3SSFP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.5V 頻率 - 躍遷:14GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 10.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 15mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,扁平引線 供應商器件封裝:3-SSFP 標準包裝:1 2SC6054J0L 2SC6076(TE16L1,NV) 2SC6081 2SC6082 2SC6082-1E 2SC6082-EPN-1E 2SC6094-TD-E 2SC6095-TD-E 2SC6096-TD-E 2SC6096-TD-H 2SC6097-E 2SC6097-TL-E 2SC6098-E 2SC6098-TL-E 2SC6099-E 2SC6099-TL-E 2SC6114T2LQ 2SC6114T2LR
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