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2SC612A

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2SC612A 技術參數
  • 2SC6114T2LR 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A VMN3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,25mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:VMN3 標準包裝:8,000 2SC6114T2LQ 功能描述:TRANS NPN 50V 0.1A VMN3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 2.5mA,25mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:130MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:VMN3 標準包裝:8,000 2SC6099-TL-E 功能描述:TRANS NPN 100V 2A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):165mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:1 2SC6099-E 功能描述:TRANS NPN 100V 2A TP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):100V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):165mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TP 標準包裝:500 2SC6098-TL-E 功能描述:TRANS NPN 80V 2.5A TP-FA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):2.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):165mV @ 50mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:800mW 頻率 - 躍遷:350MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:2-TP-FA 標準包裝:700 2SCR346PT100Q 2SCR372P5T100Q 2SCR372P5T100R 2SCR372PT100Q 2SCR372PT100R 2SCR375P5T100Q 2SCR375P5T100R 2SCR502EBTL 2SCR502UBTL 2SCR512P5T100 2SCR512PFRAT100 2SCR512PT100 2SCR512RTL 2SCR513P5T100 2SCR513PFRAT100 2SCR513PT100 2SCR514P5T100 2SCR514PFRAT100
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