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2SD1470ATTR

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • SOT-89

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  • 2SD1470ATTR
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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • RENESAS

  • SOT89

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  • 2SD1470ATTR
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質:營業執照

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  • RENESAS

  • SOT-89

  • 23+

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2SD1470ATTR 技術參數
  • 2SD1468STPS 功能描述:TRANS NPN 15V 1A 3PIN SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SD1468STPR 功能描述:TRANS NPN 15V 1A 3PIN SPT 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 100mA,3V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:SC-72 成形引線 供應商器件封裝:SPT 標準包裝:5,000 2SD14500TA 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):400 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SD14500SA 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):300 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SD14500RA 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A NS-B1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 20mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:NS-B1 供應商器件封裝:NS-B1 標準包裝:1 2SD1618T-TD-E 2SD1620-TD-E 2SD1623S-TD-E 2SD1623T-TD-E 2SD1624S-TD-E 2SD1624S-TD-H 2SD1624T-TD-E 2SD1624T-TD-H 2SD1628F-TD-E 2SD1628F-TD-H 2SD1628G-TD-E 2SD1628G-TD-H 2SD16330P 2SD16400Q 2SD16400R 2SD16450R 2SD1664T100P 2SD1664T100Q
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