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2SK2969/GK

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 4000

  • SANYO

  • SOT-23

  • 2011

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2SK2969/GK
    2SK2969/GK

    2SK2969/GK

  • 北京元坤偉業科技有限公司
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    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 4000

  • SANYO

  • SOT-23

  • 2011

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2SK2969/GK 技術參數
  • 2SK2967(F) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):68 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):132nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5400pF @ 10V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P(N) 標準包裝:50 2SK2963(TE12L,F) 功能描述:MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):700 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):140pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PW-MINI 標準包裝:1 2SK2962,T6WNLF(M 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:停產 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 標準包裝:1 2SK2962,T6WNLF(J 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:停產 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 標準包裝:1 2SK2962,T6F(M 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:停產 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 標準包裝:1 2SK3018T106 2SK3018-TP 2SK3019TL 2SK3019-TP 2SK302200L 2SK302500L 2SK303000L 2SK303100L 2SK3043 2SK3044 2SK3045 2SK3046 2SK3047 2SK3048 2SK3050TL 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100
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