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2SK3000ZY-TL-E

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    優勢
  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人:朱小姐

    電話:83617149

    地址:新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 6000

  • RENESAS

  • N/A

  • 2021+

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • RENESAS

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  • 制造商
  • Renesas Electronics Corporation
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 40V 1A 3-Pin MPAK T/R
2SK3000ZY-TL-E 技術參數
  • 2SK2995(F) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):68 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):132nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5400pF @ 10V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P(N)IS 標準包裝:50 2SK2993(TE24L,Q) 功能描述:MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4000pF @ 10V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:TO-220SM 標準包裝:1,000 2SK2989,T6F(J 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:停產 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 標準包裝:1 2SK2989,F(J 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:停產 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 標準包裝:1 2SK2989(TPE6,F,M) 功能描述:MOSFET N-CH 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:* 包裝:散裝 零件狀態:停產 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-92MOD 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 長體 標準包裝:1 2SK303100L 2SK3043 2SK3044 2SK3045 2SK3046 2SK3047 2SK3048 2SK3050TL 2SK306400L 2SK3064G0L 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q)
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