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2SK303-4

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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • 2SK303-4
    2SK303-4

    2SK303-4

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質:營業執照

  • 30000

  • SANYO

  • SOT-23

  • 18+

  • -
  • 專注品牌長期供應

  • 2SK303-4-TB
    2SK303-4-TB

    2SK303-4-TB

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • SANYO

  • SOT23

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 2SK303-4-TL
    2SK303-4-TL

    2SK303-4-TL

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 60000

  • GP/SANYO

  • SOT23

  • 2014+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
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  • 制造商
  • 未知廠家
  • 制造商全稱
  • 未知廠家
  • 功能描述
  • TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2.5MA I(DSS) | TO-236AB
2SK303-4 技術參數
  • 2SK303100L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 15A UG-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):15A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):135 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):300pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:U-G1 供應商器件封裝:U-G1 標準包裝:1 2SK303000L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A UG-1 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):230 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):290pF @ 10V 功率 - 最大值:15W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:U-G1 供應商器件封裝:U-G1 標準包裝:1 2SK302500L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A UG-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 10V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:U-G2 供應商器件封裝:U-DL 標準包裝:1 2SK302200L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 5A UG-2 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):130 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):220pF @ 10V 功率 - 最大值:10W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:U-G2 標準包裝:1 2SK3019-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 100μA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 10mA,4V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-523 封裝/外殼:SOT-523 標準包裝:1 2SK3065T100 2SK3068(TE24L,Q) 2SK3074TE12LF 2SK3075(TE12L,Q) 2SK3078A(TE12L,F) 2SK3079ATE12LQ 2SK3127(TE24L,Q) 2SK3128(Q) 2SK3132(Q) 2SK3199 2SK326800L 2SK327700L 2SK3309(Q) 2SK3309(TE24L,Q) 2SK3313(Q) 2SK3318 2SK3320-BL(TE85L,F 2SK3320-GR(TE85L,F
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