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2SK3537-01MR

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  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區華強北路上步工業區101棟5樓517-532室

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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 深圳市品業電子有限公司
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    聯系人:李小姐

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2SK3537-01MR 技術參數
  • 2SK3484-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):900pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251(MP-3) 標準包裝:1 2SK3483-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):28A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):52 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):49nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251(MP-3) 標準包裝:1 2SK3482-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):36A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3600pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:TO-251(MP-3) 標準包裝:1 2SK3481-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):48nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:200 2SK3480-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):31 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3600pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1 2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3565(Q,M) 2SK3566(STA4,Q,M) 2SK3662(F) 2SK3666-2-TB-E 2SK3666-3-TB-E 2SK3666-4-TB-E 2SK3670(F,M) 2SK3670(T6CANO,A,F 2SK3670(T6CANO,F,M 2SK3670,F(J 2SK3670,F(M 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E
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