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2SK3561(Q)

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  • 型號
  • 供應商
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 2SK3561(Q)
    2SK3561(Q)

    2SK3561(Q)

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 37

  • TOSHIBA

  • 2011

  • -
  • 公司現貨!只做原裝!

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
2SK3561(Q) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 500V 8A Rdson 0.85 Ohm
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
2SK3561(Q) 技術參數
  • 2SK3557-7-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:1mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SK3557-6-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:1kHz 增益:- 電壓 - 測試:5V 額定電流:50mA 噪聲系數:1dB 電流 - 測試:1mA 功率 - 輸出:200mW 電壓 - 額定:15V 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 標準包裝:1 2SK3547G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F2 標準包裝:1 2SK354700L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:SSS迷你型3-F1 標準包裝:1 2SK3546J0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):50V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 歐姆 @ 10mA,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:125mW 工作溫度:125°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-89,SOT-490 供應商器件封裝:SS迷你型3-F1 標準包裝:1 2SK3670(T6CANO,F,M 2SK3670,F(J 2SK3670,F(M 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E
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