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2SK366BL

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  • 2SK366BL
    2SK366BL

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  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 3000

  • TOHSIBA東芝

  • TO-92S

  • 13+

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  • 全新原裝100%正品保證質量

  • 2SK366BL
    2SK366BL

    2SK366BL

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G

  • 9866

  • TOS

  • TO-92S

  • 05+

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2SK366BL 技術參數
  • 2SK3666-4-TB-E 功能描述:JFET N-CH 30V 0.2W CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:Not Recommended For New Designs FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2.5mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:3,000 2SK3666-3-TB-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 200MW 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1.2mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CP 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3666-2-TB-E 功能描述:JFET N-CH 10MA 200MW CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:* 零件狀態:新產品 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):- 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):600μA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:10mA 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):180mV @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:* 封裝/外殼:* 供應商器件封裝:* 功率 - 最大值:200mW 標準包裝:1 2SK3662(F) 功能描述:MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):35A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12.5 毫歐 @ 18A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):91nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5120pF @ 10V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220NIS 標準包裝:50 2SK3566(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.5A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.4 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):470pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商器件封裝:TO-220SIS 標準包裝:50 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746 2SK3746-1E 2SK3747 2SK3747-1E 2SK3747-MG8 2SK3748 2SK3748-1E
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