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2SK4084LS-S

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

2SK4084LS-S
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
聯(lián)系人：陳先生
電話：0755-83228629
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專
資質：營業(yè)執(zhí)照
59990
SANYO/三洋
TO-220F
17+
-
100%原裝，誠信為本，等你咨詢！

2SK4084LS-S
深圳市柏新電子科技有限公司
深圳市柏新電子科技有限公司
聯(lián)系人：林小姐//方先生
電話：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知
51000
SANYO
TO-220F
2012+
-
只做原裝正品

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1

您是不是要找： 2SK4085LS 2SK4085LS-1E 2SK4087LS 2SK4087LS-1E 2SK4088LS 2SK4088LS-1E 2SK4089LS 2SK4093TZ-E 2SK4094

2SK4084LS-S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

2SK4084LS-S 技術參數(shù)

2SK4084LS 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.6A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:520 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:38.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FI（LS）標準包裝:100 2SK4073LS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 90A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:90A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 45A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FI（LS）標準包裝:100 2SK4066-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A SMP 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3（SMT）標片供應商器件封裝:SMP 標準包裝:100 2SK4066-DL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12500pF @ 20V 功率 - 最大值:1.65W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:SMP-FD 標準包裝:1,000 2SK4066-DL-1EX 功能描述:MOSFET N-CH 60V TO263-2 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100A（Ta）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:220nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:12500pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.65W（Ta），90W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.7 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-263-2 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標準包裝:800 2SK4094-1E 2SK4096LS 2SK4097LS 2SK4099LS 2SK4099LS-1E 2SK4116LS 2SK4117LS 2SK4124 2SK4124-1E 2SK4125 2SK4125-1E 2SK4126 2SK4150TZ-E 2SK4151TZ-E 2SK4171 2SK4177-DL-1E 2SK4177-DL-E 2SK4177-E