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2N5114

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功能描述
JFET 30V 10pA
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
晶體管極性
N-Channel
漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）
50 mA
漏源電壓 VDS
15 V
閘/源擊穿電壓
漏極連續電流
50 mA
配置
安裝風格
封裝 / 箱體
SC-59
封裝
Reel

2N5114 技術參數

2N5109 功能描述:TRANS RF NPN 20V 400MA TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:1.2GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA，15V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:400mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-205AD，TO-39-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-39 標準包裝:500 2N5093 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5092 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5091 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N5089TFR 功能描述:TRANS NPN 25V 0.1A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 1mA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:400 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 2N5115JAN02 2N5115JTVL02 2N5115JTX02 2N5115JTXL02 2N5115JTXV02 2N5115UB 2N5116 2N5116-E3 2N5116JAN02 2N5116JTVL02 2N5116JTX02 2N5116JTXL02 2N5116JTXV02 2N5116UB 2N5151 2N5151L 2N5152 2N5152L