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2N7002VAC-7

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說(shuō)明
操作

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功能描述
MOSFET Dual N-Channel
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

2N7002VAC-7 技術(shù)參數(shù)

2N7002VA-7-F 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:280mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002VA-7 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:280mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002VA 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:280mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002V-7 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:280mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:150mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7002V 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563F 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:280mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.5 歐姆 @ 50mA，5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563F 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N7008 2N7008-G 2N7051 2N7051_D10Z 2N7052 2N7052_D74Z 2N7053 2N7053_D26Z 2N7053_D74Z 2N7053_D75Z 2N706 2N708 2N720A 2N7224 2N7224U 2N7225 2N7225U 2N7227