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2SD2653

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2SD2653 技術參數

2SD2652T106 功能描述:TRANS NPN 12V 1.5A SOT-323 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 25mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:270 @ 200mA，2V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:UMT3 標準包裝:1 2SD2643 功能描述:TRANS NPN DARL 110V 6A TO3PF 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:110V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 5mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3 整包供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:1,080 2SD2642 功能描述:TRANS NPN 110V 6A TO220F 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:110V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 5mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220F 標準包裝:50 2SD2641 功能描述:TRANS NPN DARL 110V 6A TO3P 制造商:sanken 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:110V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2.5V @ 5mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 5A，4V 功率 - 最大值:60W 頻率 - 躍遷:60MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-3P-3，SC-65-3 供應商器件封裝:TO-3P 標準包裝:30 2SD2623G0L 功能描述:TRANS NPN 20V 0.5A SMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 20mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:150mW 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-85 供應商器件封裝:S迷你型3-F2 標準包裝:1 2SD2662T100 2SD2670TL 2SD2671TL 2SD2672TL 2SD2673TL 2SD2674TL 2SD2675TL 2SD2679T100 2SD2695(T6CANO,A,F 2SD2695(T6CANO,F,M 2SD2695(T6CNO,A,F) 2SD2695,T6F(J 2SD2695,T6F(M 2SD2696T2L 2SD2700TL 2SD2701TL 2SD2702TL 2SD2703TL