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STP24DP05BTR

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STP24DP05BTR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • LED顯示驅動器 24-bit shift regstr LED panel displays
  • RoHS
  • 制造商
  • Micrel
  • 數位數量
  • 5
  • 片段數量
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • PLCC-44
  • 工作電源電壓
  • 4.75 V to 11 V
  • 最大電源電流
  • 10 mA
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 最小工作溫度
  • - 40 C
  • 封裝
  • Tube
STP24DP05BTR 技術參數
  • STP240N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):180A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.2 毫歐 @ 60A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):176nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12600pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP23NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):69nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:1 STP23NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 9.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2050pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP23NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):190 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1330pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 成形引線 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 STP23N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 16A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):16A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):280 毫歐 @ 8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 STP25NM50N STP25NM60N STP25NM60ND STP260N4F7 STP260N6F6 STP265N6F6AG STP26N60M2 STP26NM60N STP26NM60ND STP270N04 STP270N4F3 STP270N8F7 STP27N3LH5 STP27N60M2-EP STP28N60DM2 STP28N60M2 STP28N65M2 STP28NM50N
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