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參數(shù)資料
| 型號： | 2N2218DWP |
| 廠商： | DIODES INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | 0.019 X 0.019 INCH, G4, DIE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | 2N2218DWP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2369ADWP | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N2218ADWP | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N2369DWP | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3906DWP | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N2222DWP | 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N2218L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Transistor |
| 2N2218X | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 |
| 2N2219 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2219/A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN Switching Transistors |
| 2N2219A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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