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參數資料
型號: 2N2904
英文描述: High Speed, Saturated Switch PNP Silicon Transistor(高速、飽和開關型PNP硅晶體管)
中文描述: 高速,飽和硅晶體管開關進步黨(高速,飽和開關型進步黨硅晶體管)
文件頁數: 1/2頁
文件大小: 18K
代理商: 2N2904
Prelim. 11/98
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612. e-mail sales@semelab.co.uk
Website http://www.semelab.co.uk
2N2904
GENERAL PURPOSE PNP
TRANSISTOR
FEATURES
SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP
TRANSISTOR
CECC SCREENING OPTIONS
LOW NOISE AMPLIFIER
APPLICATIONS:
GENERAL PURPOSE
HIGH SPEED SATURATED SWITCHING
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
Collector – Emitter Voltage
Collector – Base Voltage
Emmiter – Base Voltage
Collector Current – Continuous
Total Device Dissipation @ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Total Device Dissipation @ T
C
= 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
P
D
T
J
, T
STG
40V
60V
5V
600mA
600mW
3.43mW/ °C
3W
17.2mW / °C
–65 to +200°C
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
TO–39 METAL PACKAGE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
PIN 1 – Emitter
Underside View
PIN 2 – Base
PIN 3 – Collector
( 00 . 8 9
1 2 . 7 0
( 0 . 5 0 0 )
m i n .
6 . 1 0 ( 0 . 2 4 0 )
6 . 6 0 ( 0 . 2 6 0 )
8 . 8 9 ( 0 . 3 5 )
9 . 4 0 ( 0 . 3 7 )
7 . 7 5 ( 0 . 3 0 5 )
8 . 5 1 ( 0 . 3 3 5 )
7 . 7 5 ( 0 . 3 0 5 )
8 . 5 1 ( 0 . 3 3 5 )
d i a .
0 . 6 6 ( 0 . 0 2 6 )
1 . 1 4 ( 0 . 0 4 5 )
0 . 7 1 ( 0 . 0 2 8 )
0 . 8 6 ( 0 . 0 3 4 )
2 . 5 4
( 0 . 1 0 0 )
5 . 0 8 ( 0 . 2 0 0 )
t y p .
4 5 °
1
2
3
相關PDF資料
PDF描述
2N2904 PNP SILICON PLANAR TRANSISTORS
2N2904 PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
2N2904A PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
2N2904AL PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
2N2904 Chip Type 2C2904A Geometry 0600 Polarity PNP
相關代理商/技術參數
參數描述
2N2904 制造商:NTE Electronics 功能描述:SILICON PNP TRANSISTOR
2N2904_09 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR
2N2904_10 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:PNP SWITCHING SILICON TRANSISTOR
2N2904A 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N2904A_02 制造商:SEMICOA 制造商全稱:SEMICOA 功能描述:Silicon PNP Transistor
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