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參數資料
| 型號： | 2N3010 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 封裝： | TO-18, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2N3010 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N709 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3013 | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3014 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3019 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3019JX | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3011 | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:All American Misc. 功能描述: |
| 2N3012 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N3012CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
| 2N3013 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3014 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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