型號: | 2N301 |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 1500 mA, 32 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 87K |
代理商: | 2N301 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N3020 | 1000 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
2N3020 | 1 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N3054 | 4 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
2N3055/5 | 15 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
2N3055/7 | 15 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2N3010 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 6V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18 |
2N3011 | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:All American Misc. 功能描述: |
2N3012 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
2N3012CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
2N3013 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |