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參數資料
| 型號： | 2N3096 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| 封裝： | TO-92, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 78K |
| 代理商： | 2N3096 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3094 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| 2N3096 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226AA |
| 2N3108.MODR1 | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3108 | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3053 | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3097 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:THYRISTOR1200V70ATO94 制造商:SOLID STATE 功能描述:THYRISTOR,1200V,70A,TO94 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:THYRISTOR, 70 A, 1200V, TO-94; Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:1.2kV; Gate Trigger Current Max, Igt:110mA; Current It av:70A; On State RMS Current IT(rms):110A; Peak Non Rep Surge Current Itsm 50Hz:955A; Thyristor Case:TO-94 |
| 2N3098 | 制造商:Solid State Devices Inc (SSDI) 功能描述:SCR , 70 Amp 1.3kv TO-94 |
| 2N3107 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3108 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3109 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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