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參數資料
| 型號： | 2N3417 |
| 英文描述： | NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | NPN硅晶體管 |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | 2N3417 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3417 APM | 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 3mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA，4.5V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA） 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,000 |
| 2N3417"D75Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF TRANSISTOR NPN 50V TO-92 |
| 2N3417 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| 2N3417/D89Z | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| 2N3417_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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