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參數資料
| 型號： | 2N3439L |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 封裝： | TO-5, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 18K |
| 代理商： | 2N3439L |
7V
1A
0.5A
5W
1W
–55 to 200°C
200°C
2N3439
2N3440
Prelim.12/99
HIGH VOLTAGE
NPN TRANSISTORS
FEATURES
DUAL SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN
TRANSISTOR
HIGH VOLTAGE
APPLICATIONS:
These devices are particularly suited as dri-
vers in high-voltage low current inverters,
switing and series regulators.
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
Collector – Base Voltage (I
E
= 0)
Collector – Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter – Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation at T
case
￡
25°C
T
amb
￡
50°C
T
stg
T
j
Storage Temperature
Junction Temperature
450V
350V
300V
250V
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
2N3439
2N3440
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Fax +44(0)1455 552612.
Website:
(0.890.66 (0.026)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
2.54
(0.100)
5.08 (0.200)
typ.
45
12.70
(0.500)
min.
4.19 (0.165)
4.95 (0.195)
8.89 (0.35)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
dia.
1
2
3
Pin 1 = Emitter
Pin 2 = Base
Pin 3 = Collector
TO39 PACKAGE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3440 | NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
| 2N3440L | NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
| 2N3439CSM4 | HIGH VOLTAGE, MEDIUM POWER, NPN TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
| 2N3440 | HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTORS |
| 2N3442 | POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| 2N3439UAJANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 350V 1A 4-Pin UA 制造商:Microsemi 功能描述:Trans GP BJT NPN 350V 1A 4-Pin UA |
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