型號: | 2N3502 |
廠商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | Small Signal Transistors |
中文描述: | 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
封裝: | TO-39, 3 PIN |
文件頁數: | 1/2頁 |
文件大小: | 23K |
代理商: | 2N3502 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2N3504 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
2N3505 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
2N3503 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
2N3506AL | Silicon NPN Transistor |
2N3506A | Silicon NPN Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2N3503 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3504 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3505 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3506 | 制造商:Motorola 功能描述:3506 MOT PULL N5F3B |
2N3506_02 | 制造商:SEMICOA 制造商全稱:SEMICOA 功能描述:Silicon NPN Transistor |