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參數資料
| 型號： | 2N3583 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 Amp, 250V, High Voltage NPN Silicon Power Transistors |
| 中文描述： | 1 A, 175 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 217K |
| 代理商： | 2N3583 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6421 | POWER TRANSISTORS(35W) |
| 2N6422 | POWER TRANSISTORS(35W) |
| 2N6423 | POWER TRANSISTORS(35W) |
| 2N3583 | POWER TRANSISTORS(35W) |
| 2N3584 | POWER TRANSISTORS(35W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3583 LEADFREE | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3583_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:NPN SILICON POWER TRANSISTORS. |
| 2N3584 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN High Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3584 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-66 |
| 2N3584JAN | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
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