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參數資料
| 型號： | 2N3772 |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 20 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
| 封裝： | TO-3, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 132K |
| 代理商： | 2N3772 |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3772 | POWER TRANSISTORS(150W) |
| 2N3792 | PNP SILICON EPITAXIAL BASE POWER TANSISTORS |
| 2N3792 | PNP Silicon Epitaxial Base Power Transistor(PNP 硅外延功率型晶體管) |
| 2N3792 | SILICON PNP POWER TRANSISTORS |
| 2N3792 | PNP HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3772 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 |
| 2N3772_12 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:SILICON NPN TRANSISTORS |
| 2N37729050 | 制造商:n/a 功能描述:2N3772 |
| 2N3772G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 20A 60V 150W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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