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參數資料
| 型號： | 2N3904V |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | VSM, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | 2N3904V |
2003. 12. 12
1/4
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N3904V
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 0
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Low Leakage Current
: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.)
@VCE=30V, VEB=3V.
Excellent DC Current Gain Linearity.
Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA.
Low Collector Output Capacitance
: Cob=4pF(Max.) @VCB=5V.
Complementary to 2N3906V.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
DIM MILLIMETERS
A
B
D
E
VSM
1.2 0.05
0.8 0.05
0.5 0.05
0.3 0.05
1.2 0.05
0.8 0.05
0.40
0.12 0.05
C
G
H
J
K
0.2 0.05
B
E
D
G
A
H
K
C
J
2
3
1
P
5
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
+_
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
200
mA
Base Current
IB
50
mA
Collector Power Dissipation
PC *
100
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55 150
Type Name
Marking
Z C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3904 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3906AMO | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3906U | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3913 | 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N3904ZL1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904ZL1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905/D | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors PNP |
| 2N3905_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier |
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