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參數資料
型號: 2N4398
廠商: MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: POWER TRANSISTORS(200W)
中文描述: 30 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3
封裝: TO-3, 2 PIN
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 158K
代理商: 2N4398
A
相關PDF資料
PDF描述
2N4399 POWER TRANSISTORS(200W)
2N5786 SILICON EPITAXIAL NPN TRANSISTOR
2N5786 Small Signal Transistors
2N5864 Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package.
2N5872 Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
相關代理商/技術參數
參數描述
2N4399 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N439A 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:NPN HIGH FREQUENCY COMPUTER TRANSISTORS
2N43A 制造商:General Electric Company 功能描述:
2N440 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | TO-5
2N4400 功能描述:兩極晶體管 - BJT TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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