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參數資料
| 型號： | 2N4921LEADFREE |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 41K |
| 代理商： | 2N4921LEADFREE |
Power Transistors
TO-126 Case
www.centr alsemi.com
Shaded areas indicate Darlington.
TYPE NO.
IC
PD
BVCBO
BVCEO
hFE
@ IC VCE(SAT) @ IC
fT
(A)
(W)
(V)
(mA)
(V)
(A)
(MHz)
NPN
PNP
MAX
MIN
MAX
MIN
2N4921
2N4918
1.0
30
40
30
150
500
0.6
1.0
3.0
2N4922
2N4919
1.0
30
60
30
150
500
0.6
1.0
3.0
2N4923
2N4920
1.0
30
80
30
150
500
0.6
1.0
3.0
2N5190
2N5193
4.0
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25
100
1,500
0.6
1.5
2.0
2N5191
2N5194
4.0
40
60
25
100
1,500
0.6
1.5
2.0
2N5192
2N5195
4.0
40
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20
80
1,500
0.6
1.5
2.0
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0.5
20
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30
250
100
1.0
0.1
10
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0.5
20
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300
30
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100
1.0
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0.5
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250
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1.0
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10
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2N6034
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40
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2,000
2.0
25
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2N6036
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15,000
2,000
2.0
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BD135
BD136
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63
250
150
0.5
- -
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BD138
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63
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150
0.5
- -
BD139
BD140
1.5
12.5
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80
63
250
150
0.5
- -
BD175
BD176
3.0
30
45
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- -
150
0.8
1.0
3.0
BD177
BD178
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60
40
- -
150
0.8
1.0
3.0
BD179
BD180
3.0
30
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40
- -
150
0.8
1.0
3.0
BD233
BD234
2.0
25
45
40
- -
150
0.6
1.0
3.0
BD235
BD236
2.0
25
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- -
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1.0
3.0
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- -
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1.0
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22
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- -
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2.0
3.0
BD435
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- -
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0.5
2.0
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- -
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2.0
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BD439
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20
- -
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2.0
3.0
BD441
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80
15
- -
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2.0
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BD676
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45
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- -
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2.5
1.5
1.0
BD675A
BD676A
4.0
40
45
750
- -
2.0
2.8
2.0
1.0
BD677
BD678
4.0
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- -
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BD677A
BD678A
4.0
40
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750
- -
2.0
2.8
2.0
1.0
BD679
BD680
4.0
40
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- -
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BD679A
BD680A
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- -
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1.0
BF469
BF470
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50
- -
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60
BF471
BF472
0.05
1.25
300
50
- -
0.025
0.6
0.03
60
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(6-December 2004)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N6039LEADFREE | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N5190 | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5191 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N5192 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 2N5192 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N4922 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4922G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4923 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Med Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4923 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-126 |
| 2N4923G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 30W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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