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參數資料
| 型號： | 2N5087 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | CASE 29.04, STYLE 1 TO-92 (TO-226AA) |
| 中文描述： | 50 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2N5087 |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of September 1994
File under Discrete Semiconductors, SC04
1997 Jul 02
DISCRETE SEMICONDUCTORS
2N5087
PNP general purpose transistor
book, halfpage
M3D186
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5087 | PNP General Purpose Amplifier |
| 2N5088 | NPN general purpose transistor |
| 2N5088 | PNP/NPN SILICON AF LOW NOISE SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| 2N5088 | Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) |
| 2N5088 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5087/D | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Amplifier Transistor PNP |
| 2N5087_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Amplifier Transistor PNP Silicon |
| 2N5087_D26Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087_D75Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5087_J18Z | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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