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參數資料
| 型號： | 2N5401 |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
| 中文描述： | 互補性的芯片一般用途的高壓晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | 2N5401 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5401 | AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON |
| 2N5401 | Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) |
| 2N5401 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 2N5401 | Mini size of Discrete semiconductor elements |
| 2N5401 | PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5401 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401,116 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV TAPE WIDE PITCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401,412 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS HV BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-92 |
| 2N5401/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Amplifier Transistors PNP Silicon |
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