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參數資料
| 型號： | 2N5401S |
| 廠商： | KEC Holdings |
| 英文描述： | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) |
| 中文描述： | 外延平面PNP晶體管（通用，高電壓） |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 147K |
| 代理商： | 2N5401S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5401 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, HIGH VOLTAGE) |
| 2N5401 | PNP high-voltage transistor |
| 2N5401 | COMPLEMENTARY SILICON GENERAL PURPOSE HIGH VOLTAGE TRANSISTORS |
| 2N5401 | AMPLIFIER TRANSISTOR PNP SILICON |
| 2N5401 | Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5401S_99 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
| 2N5401-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 0.6A 150V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:300 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5401TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5401TAR | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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