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參數資料
| 型號： | 2N5416S |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-LAWRENCE |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 封裝： | TO-39, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 16K |
| 代理商： | 2N5416S |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
case
= 25°c unless otherwise stated
V
CBO
Collector – Base Voltage (I
E
=0)
V
CEO(sus)
Collector – Emitter Voltage (I
B
=0)
V
EBO
Emitter – Base Voltage (I
C
=0)
I
C
Collector Current
I
B
Base Current
P
tot
Total Device Dissipation atT
A
￡
25°C
T
stg
Storage Temperature
T
J
Junction Temperature
R
th-j-amb
Thermal Resistance Junction - Ambient
2N5415CSM4
2N5416CSM4
Prelim. 02/00
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
http://www.semelab.co.uk1A
0.5A
1W
–65 to +200°C
175°C
150°C/W
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
1
2
3
4
(5.59 ± 0.13
(0.23
(1.02 ± 0.20
(2.03 ± 0.20
(01.40 ± 0.15
(0.25 ± 0.03
(0.23
1
(
3
(
0
(
PNP PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC
SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH
RELIABILITY APPLICATIONS
FEATURES
Silicon Planar PNP Transistor
Hermetic Ceramic Surface Mount Package
CECC Screening Options
Space quality Options
LCC3 PACKAGE
Underside View
PAD 1
–
Collector
PAD 2
–
N/C
PAD 3
–
Emitter
PAD 4
–
Base
2N5415
2N5416
-200V
-200V
-4V
-350V
-300V
-6V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5416CSM4 | PNP PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE FOR HIGH RELIABILITY APPLICATIONS |
| 2N5430 | MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2N5430 | Medium Power NPN Silicon Transistor Designed For Switching and Wide-Band Amplifier Applications(中功率NPN硅晶體管（開關型和寬波段放大器應用）) |
| 2N5430 | Power Transistors |
| 2N5430 | POWER TRANSISTORS(7A,40W) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| 2N5416SJANTX | 制造商:n/a 功能描述:2N5416S DC85 N10D9H 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 2N5416UA | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 300V 1A 4-Pin UA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 300V 1A 4PIN UA - Bulk |
| 2N5416UA/TR | 功能描述:POWER BJT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:300V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:2V @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 50mA，10V 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，無引線 供應商器件封裝:UA 標準包裝:100 |
| 2N5417 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-39 |
| 2N5418 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SERIES 2N TRANSISTORS |
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