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參數資料
型號: 2N5551-X-T92-B
廠商: 友順科技股份有限公司
英文描述: HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
中文描述: 高壓開關晶體管
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 61K
代理商: 2N5551-X-T92-B
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2N5551
NPN SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 4
QW-R201-002.B
HIGH V OLT AGE S WIT CHING
T RANS IS T OR
FEAT URES
* High collector-emitter voltage:
V
CEO
=160V
* High current gain
APPLICAT IONS
*
Telephone switching circuit
* Amplifier
TO-92
1
1
SOT-89
*Pb-free plating product number: 2N5551L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
E
B
E
B
Normal
Lead Free Plating
2N5551L-x-AB3-R
2N5551L-x-T92-B
2N5551L-x-T92-K
Package
3
E
C
C
Packing
2N5551-x-AB3-R
2N5551-x-T92-B
2N5551-x-T92-K
SOT-89
TO-92
TO-92
Tape Reel
Tape Box
Bulk
2N5551L-x-AB3-R
(1)Packing Type
(2)Package Type
(4)Lead Plating
(1) B: Tape Box, K: Bulk, R: Tape Reel
(2) T92: TO-92, AB3: SOT-89
(4) L: Lead Free Plating, Blank: Pb/Sn
(3)Rank
(3) x: refer to Classification of h
FE
相關PDF資料
PDF描述
2N5551-X-T92-K HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5551DCSM 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
2N5559 TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3
2N5551 NPN high-voltage transistors
2N5551 Epitaxial Planar NPN Transistor(General Application,High Voltage Application)(外延平面NPN晶體管(通用型,高電壓應用))
相關代理商/技術參數
參數描述
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2N5551YBU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551YIUTA 功能描述:功率放大器 TO-92 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 封裝 / 箱體: 工作電源電壓:28 V 電源電流:2.5 A 工作溫度范圍: 封裝:
2N5551YTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N5551ZL1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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