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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5551RLRP |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 128K |
| 代理商： | 2N5551RLRP |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5551 | 600 mA, 160 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N5555TRB | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5581 | 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
| 2N5581JV | 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5551RLRPG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 180V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5551S | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |
| 2N5551S_99 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |
| 2N5551-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 0.6A 160V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N5551T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 600MA I(C) | TO-92 |
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